| Частота : | критическая: не менее 100 ГГц |
|---|
| Емкость : | общая: не более 2,4 пФ |
|---|
| Сопротивление : | потерь прямое: не более 0,5 Ом |
|---|
| Заряд : | накопленный: не более 900 нКл |
|---|
| Напряжение : | пробивное: не менее 1000 В |
|---|
| Напряжение : | постоянное обратное: не более 250 В |
|---|
| Ток : | постоянный прямой: не более 500 мА |
|---|
| Мощность : | непрерывная рассеиваемая: не менее 17 Вт |
|---|
| Мощность : | импульсная рассеиваемая: не более 1500 Вт |
|---|
| Рабочая температура : | -60...+125°С |
|---|
| Минимальная наработка : | 25000 ч |
|---|
| Срок сохраняемости : | 25 лет |
|---|
| Вес : | 0,5 г |
|---|
|
Диоды 2А528А-4 кремниевые, диффузионные, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа
p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах,
модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах дециметрового и
сантиметрового диапазонов длин волн в составе гибридных
интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту
приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов,
инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с жесткими выводами на
кристаллодержателе.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Маркируются точкой у положительного электрода: 2А528А-4 - черной
точкой, 2А528Б-4 - двумя черными точками.
| Смотрите справочные данные
<== ТУТ (2a528.pdf) |
|
