| Производитель : Infineon Technologies |
| Конфигурация : | half-bridge |
|---|
| Тип : | канала: независимый |
|---|
| Количество : | каналов: 2 |
|---|
| Тип : | управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET |
|---|
| Напряжение питания : | 10…20 В |
|---|
| Выходной ток : | нарастания пиковый: 0,21 А |
|---|
| Выходной ток : | спада пиковый: 0,36 А |
|---|
| Тип входа : | неинвертирующий |
|---|
| Максимальное напряжение : | смещения: 600 В |
|---|
| Время : | нарастания: 100 нс |
|---|
| Время : | затухания: 50 нс |
|---|
| Рабочая температура : | -40…+150 °С |
|---|
| Корпус : | soic-8(0.154 inch) |
|---|
| Вес : | 0,15 г |
|---|
Логическое напряжение (VIL), В: 0,8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
| Смотрите справочные данные
<== ТУТ (ir2101.pdf) |
|
